گیلیم نائٹرائڈ، ایک بنیادی وائڈ-بینڈ گیپ سیمی کنڈکٹر مواد کے طور پر، 2026 کے دوران پاور ڈیوائسز اور RF چپس کے لیے صلاحیت میں تیزی سے توسیع دیکھی ہے۔ مونوکریسٹل لائن سلیکون ویفرز کے برعکس، GaN سبسٹریٹس 8.5-9.0 کے درمیان Mohs کی سختی تک پہنچتے ہیں، جس میں مستحکم کیمیکل کی خاصیت، خاص طور پر مشکل کیمیکلز کو تبدیل کرتی ہے پلانرائزیشن کے عمل سلیکون کے لیے عام عام مقصد والے پولی یوریتھین سی ایم پی پیڈ GaN پروسیسنگ کی ضروریات کو پورا نہیں کر سکتے، اور مواد کی ملاپ بڑے پیمانے پر پیداوار کی پیداوار کو محدود کرنے والی اہم رکاوٹوں میں سے ایک بن گئی ہے۔
اصل فیب آپریشن فیڈ بیک میں، غلط طریقے سے مماثل پیڈ فارمولے آسانی سے دو عام نقائص کا سبب بنتے ہیں: مواد کو ہٹانے کی ناکافی شرح جس کی وجہ سے کم تھرو پٹ ہوتا ہے، یا ضرورت سے زیادہ مکینیکل کھرچنا مائیکرو سکریچز اور GaN ویفر کی سطحوں پر ذیلی سطح کو نقصان پہنچاتا ہے۔ epitaxial بڑھے ہوئے GaN-on-Si اور GaN-on-SiC ڈھانچے کے لیے، یہاں تک کہ سطح کے چھوٹے خروںچ بھی بعد میں آنے والے آلات کی برقی کارکردگی کو براہ راست خراب کر دیں گے۔ انڈسٹری ٹیسٹ کے اعداد و شمار سے پتہ چلتا ہے کہ کوالیفائیڈ GaN سے وقف شدہ پولی یوریتھین پیڈز کو تاکنا کی ساخت، سختی اور کیمیائی مزاحمت کو بیک وقت متوازن کرنے کی ضرورت ہے۔ لمبے عرصے تک مسلسل پالش کرنے کے دوران تاکنا بند ہونے سے گریز کرتے ہوئے، مستحکم گارا کو پکڑنے اور مؤثر ریزیڈیو خارج ہونے کا احساس کرنے کے لیے عام طور پر تاکنے کے سائز کو 25 μm‑50 μm کے اندر کنٹرول کیا جاتا ہے۔
بہت سے سیمی کنڈکٹر استعمال کے قابل ڈویلپرز اب GaN منظرناموں کے لیے تھرموسیٹ پولی یوریتھین کے کراس لنکنگ سسٹم کو ایڈجسٹ کر رہے ہیں۔ سختی کے ڈیزائن کو ٹھیک توازن برقرار رکھنا چاہئے: ضرورت سے زیادہ سخت پیڈز خروںچ پیدا کرتے ہیں، جب کہ ضرورت سے زیادہ نرم پیڈ پورے ویفر میں عالمی پلانرائزیشن کی صلاحیت کو قربان کرتے ہیں۔ کٹر ٹاپ پالش کرنے والی پرت اور ہم آہنگ ذیلی پیڈ کو یکجا کرنے والے ملٹی لیئر کمپوزٹ ڈھانچے دھیرے دھیرے GaN CMP پروسیسنگ کے لیے مرکزی دھارے کے حل بن گئے ہیں۔
اعلی کارکردگی والے پولی یوریتھین مواد کی ترقی میں اپنے جمع کردہ تجربے سے حاصل کرتے ہوئے، ہم بیس پولیمر فارمولیشن اور مائیکرو فومنگ پیرامیٹرز کو بہتر بناتے ہیں جو GaN پالش کرنے کی خصوصیات کو نشانہ بناتے ہیں۔ ہمارا مادی حل مستحکم تاکنا مستقل مزاجی، الکلائن اور تیزابی CMP سلوری کے خلاف اچھی مزاحمت، اور کم ذرہ بہانے کی کارکردگی پر مرکوز ہے۔ یہ قابل قبول ہٹانے کی کارکردگی کو برقرار رکھتے ہوئے ایٹم کی سطح کی ہموار GaN سطحوں کو حاصل کرنے کے لیے فیبس کو سپورٹ کرتا ہے، جس سے کلائنٹس کو کمپاؤنڈ سیمی کنڈکٹر بڑے پیمانے پر پیداوار کے لیے ڈیبگنگ کے عمل کو مختصر کرنے میں مدد ملتی ہے۔